一种高导磁低功耗的磁环
授权
摘要

本实用新型涉及磁环技术领域,尤其是一种高导磁低功耗的磁环,包括外壳,所述外壳为环形镂空结构,所述外壳的一侧端面上设有开口,所述外壳的开口处螺纹连接有密封盖,所述外壳的内部设置有磁环本体,所述外壳与所述密封盖之间设置有防脱组件,所述防脱组件包括分别对应开设于所述外壳与所述密封盖上端面上的第一放置槽和第二放置槽,所述第一放置槽与所述第二放置槽的内部之间活动卡接有限位块,所述限位块的内部横向开设有滑槽,所述滑槽的内部滑动连接有插销,所述插销的一端活动插接于所述密封盖的内部,该一种高导磁低功耗的磁环,解决了现有技术中存在不具有保护装置等缺点。

基本信息
专利标题 :
一种高导磁低功耗的磁环
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202220124598.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2022-01-18
授权号 :
CN216487529U
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
余光辉
申请人 :
惠州扬辉磁业有限公司
申请人地址 :
广东省惠州市惠阳区三和经济开发区联兴东路怡兴科技园B栋
代理机构 :
广州市红荔专利代理有限公司
代理人 :
吴伟文
优先权 :
CN202220124598.5
主分类号 :
H01F3/10
IPC分类号 :
H01F3/10  H01F27/02  H01F27/26  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F3/00
磁芯,磁轭或衔铁
H01F3/10
磁路的复合配置
法律状态
2022-05-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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