一种具有静电防护功能的MOS管
授权
摘要
本实用新型公开了半导体技术领域的一种具有静电防护功能的MOS管，包括MOS管安装外壳和MOS管主体，所述MOS管安装外壳的外侧壁的底部的左侧固定装配有G端引脚，且所述MOS管安装外壳的外侧壁的底部的中间且位于G端引脚的右侧固定装配有D端引脚，且所述MOS管安装外壳的外侧壁的底部的右侧且位于D端引脚的右侧固定装配有S端引脚，本实用新型结构设计合理，相对于传统的MOS管，通常的MOS管其内部安装防静电的ESD芯片，其造价高，并且配置在其内部，也对MOS管本身的工作有所限制，此实用新型专利的静电防护功能的MOS管，在每一个焊盘上分别安装静电防护的芯片，起到了防护到每一个引脚的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种具有静电防护功能的MOS管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220233560.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
CN216749890U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
涂长招
申请人 ：
福建康博电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
福建省龙岩市新罗区东肖镇东华社区龙腾南路14号珠江大厦702-15室
代理机构 ：
北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
崔新芬
优先权 ：
CN202220233560.1
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L23/043 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
