制备高纯度ⅡB-ⅥA
专利权的终止
摘要
本发明提供了制备高纯度ⅡB-ⅥA族化合物，主要是制备ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe的新方法，上述化合物是制备发光材料和电光器件的重要原料。本发明采用“套管冷却式”容器的高频感应加热法，改变了迄今为止盛装反应物的容器和反应物加热体的形状。在加热反应过程中可以用水或冷空气对盛料的石英安瓿进行冷却，避免容器对合成的化合物的玷污，反应产物松散地落在容器壁上，容易取出产物，进行分段局部加热，安瓿内部压力低，可防止由于高压使安瓿易爆炸的问题，还大大缩短了加热时间，提高了反应产率，达到快速安全地制备高纯度材料。
基本信息
专利标题 ：
制备高纯度ⅡB-ⅥA族化合物的新方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85101849A
申请号 ：
CN85101849.1
公开（公告）日 ：
1986-07-30
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85101849B
授权日 ：
1986-12-03
发明人 ：
黄锡珉
申请人 ：
中国科学院长春物理研究所
申请人地址 ：
吉林省长春市新民大街13号
代理机构 ：
中国科学院长春专利事务所
代理人 ：
马守忠
优先权 ：
CN85101849.1
主分类号 ：
C01G9/08
IPC分类号 ：
C01G9/08 C01G11/02 C01B19/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G9/00
锌的化合物
C01G9/08
硫化物
法律状态
1990-08-15 ：
专利权的终止
1987-06-10 ：
授权
1986-12-03 ：
审定
1986-07-30 ：
公开
1985-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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