光电导膜
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明披露了有关光电导型摄象管靶的光电导膜的一种结构。此类光电导膜主要由Se制成并在其中央部分掺杂Te而形成。除此，将据认为可以形成俘获Se中电子的深陷阱能级之As；以及通过俘获Se中的电子形成负空间电荷的GaF3等可添加到存在有Te的区域。另外，于存在有GaF3等的区域中选定了较以往所用的为薄的膜层厚度(不小于20埃且不大于90埃)。
基本信息
专利标题 ：
光电导膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104072A
申请号 ：
CN85104072.1
公开（公告）日 ：
1986-11-26
申请日 ：
1985-05-28
授权号 ：
CN85104072B
授权日 ：
1988-02-24
发明人 ：
谷冈健吉设乐圭一栗山孝夫高崎幸男平井忠明野中育光井上荣神
申请人 ：
株式会社日立制作所;日本放送协会
申请人地址 ：
日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN85104072.1
主分类号 ：
H01J29/45
IPC分类号 ：
H01J29/45 H01J31/38 H01L31/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J29/00
H01J31/00组中包含的各种阴极射线管或电子束管的零部件
H01J29/02
电极；屏；其安装、支承、配置或绝缘
H01J29/10
形成、摄取、转换或贮存图像或图形的屏
H01J29/36
光电屏；电荷贮存屏
H01J29/39
电荷贮存屏
H01J29/45
由电磁辐射引起内部电效应的，如光电导屏、光致介电屏、光电屏幕
法律状态
1997-07-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-11-01 ：
变更
变更后 : 井上栄典 变更前 : 井上栄神 变更事项 : 发明人
1988-10-05 ：
授权
1988-02-24 ：
审定
1986-11-26 ：
公开
1985-12-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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