摄象管靶
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。
基本信息
专利标题 ：
摄象管靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87104843A
申请号 ：
CN87104843.4
公开（公告）日 ：
1988-01-27
申请日 ：
1987-07-11
授权号 ：
CN1004732B
授权日 ：
1989-07-05
发明人 ：
云内高明野中育光井上荣典
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京千代田区
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
何耀煌
优先权 ：
CN87104843.4
主分类号 ：
H01J29/45
IPC分类号 ：
H01J29/45 H01J31/26 H01L31/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J29/00
H01J31/00组中包含的各种阴极射线管或电子束管的零部件
H01J29/02
电极；屏；其安装、支承、配置或绝缘
H01J29/10
形成、摄取、转换或贮存图像或图形的屏
H01J29/36
光电屏；电荷贮存屏
H01J29/39
电荷贮存屏
H01J29/45
由电磁辐射引起内部电效应的，如光电导屏、光致介电屏、光电屏幕
法律状态
1996-08-21 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-04-04 ：
授权
1989-07-05 ：
审定
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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