晶体管
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明提供一种具有在网状发射极区(22)进行接触的第1发射极电极(26)及在岛状基极接触区(23)进行接触的第1基极(25)和设置在层间绝缘膜(27)上面分别与上述的第1发射极电极(26)和第1基极(25)联结的第2发射极电极(29)和第2基极电极(28)，上述第2发射极电极(29)及上述第2基极电极(28)形成梳齿状，使上述第2发射极电极(29)和上述第1发射极电极(26)在每个梳齿上进行带状的接触，通过大幅度地扩大接触面积来抑制电流的集中、小芯片面积而有较强的耐破坏力的高电流容器的晶体管。
基本信息
专利标题 ：
晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85105124A
申请号 ：
CN85105124.3
公开（公告）日 ：
1986-12-31
申请日 ：
1985-07-04
授权号 ：
CN1004844B
授权日 ：
1989-07-19
发明人 ：
田中忠彦
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府守口市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85105124.3
主分类号 ：
H01L29/70
IPC分类号 ：
H01L29/70
法律状态
2001-02-21 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-04-04 ：
授权
1989-07-19 ：
审定
1988-09-28 ：
实质审查请求
1986-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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