门电路断开可控硅
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
所提供的门电路断开可控硅具有一块半导体衬底、一个阳极和一个控制极。半导体衬底包含有，连接阳极的P发射层、邻接于P发射层的N基区层、邻接于N基区层且连接控制极的P基区层和邻接于P基区层且连接阴极的N发射层。为了改善其电流截止性能，半导体衬底还包括在P发射层和N基区层之间设置的P型层，并且有低于N基区层的杂质浓度。
基本信息
专利标题 ：
门电路断开可控硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85105982A
申请号 ：
CN85105982.1
公开（公告）日 ：
1987-03-04
申请日 ：
1985-08-08
授权号 ：
CN85105982B
授权日 ：
1988-03-30
发明人 ：
樱田修六池田裕彦
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番地
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
杜日新
优先权 ：
CN85105982.1
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74
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法律状态
1991-11-27 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-03-30 ：
审定
1987-03-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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