大功率闸门电路断开的可控硅及其制造方法
公开
摘要
一个具有阳极短路(7)的大功率GTO可控硅，在阳极侧的P发射层(6)中，点火灵敏度是通过在阳极短路区(7)和n基区层(5)之间的薄弱附加掺杂P-阻挡层(9)而得到改善的，而对截断方法不会有消极的影响。
基本信息
专利标题 ：
大功率闸门电路断开的可控硅及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037237A
申请号 ：
CN89100751.2
公开（公告）日 ：
1989-11-15
申请日 ：
1989-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彼得·罗格威勒
申请人 ：
亚瑞亚·勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN89100751.2
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/74 H01L29/36 H01L21/265
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法律状态
1989-11-15 ：
公开
1989-09-13 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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