可控硅串联逆变器电路
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种可控硅串联逆变器电路，它包括由直流电源(1)，可控硅(2)，电容器(3)，电抗器(4)，次级带负载(6)的输出变压器(5)和可控硅(7)组成的不对称半桥式可控硅串联逆变器电路以及附加的可控硅(8)。当负载(6)减小时，通过直接限制电容器(3)上过电压的增长并将电抗器(4)中多余的能量返回直流电源(1)，从而有效地抑制了逆变器中的过电压，提高了逆变器的负载适应性，最高工作频率和效率。
基本信息
专利标题 ：
可控硅串联逆变器电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87102532A
申请号 ：
CN87102532.9
公开（公告）日 ：
1988-10-12
申请日 ：
1987-04-01
授权号 ：
CN1015767B
授权日 ：
1992-03-04
发明人 ：
李少平李少彤
申请人 ：
李少平;李少彤
申请人地址 ：
450052河南省郑州市中原路机械工业部郑州机械研究所
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN87102532.9
主分类号 ：
H02H7/122
IPC分类号 ：
H02H7/122
相关图片
法律状态
1996-05-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-11-11 ：
授权
1992-03-04 ：
审定
1990-11-28 ：
实质审查请求
1988-10-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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