半导体致冷的环块电堆
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种半导体致冷器用的环块电堆。该发明的特点是采用环块电堆和新的耦合技术，而且电堆支架用非钢性材料做成。解决了与筒体的接触问题，也适应了由于电堆温差存在而引起的热膨胀及所造成的应力变化，减小了寄生温差，提高了热响应能力。
基本信息
专利标题 ：
半导体致冷的环块电堆
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108528A
申请号 ：
CN85108528
公开（公告）日 ：
1987-06-10
申请日 ：
1985-11-14
授权号 ：
CN85108528B
授权日 ：
1987-08-05
发明人 ：
钟广学
申请人 ：
西北大学
申请人地址 ：
陕西省西安市小南门外
代理机构 ：
西北大学专利事务所
代理人 ：
王明轩
优先权 ：
CN85108528
主分类号 ：
H01L35/08
IPC分类号 ：
H01L35/08
法律状态
1990-06-06 ：
专利权的终止
1988-02-24 ：
授权
1987-08-05 ：
审定
1987-06-10 ：
公开
1986-07-09 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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