真空远红外充氮亚胺化装置
专利权的终止
摘要
本实用新型属于半导体器件和集成电路表面有机钝化用新设备。其特征在于选用了波长为2～15μm范围的远红外线辐射源，并用真空减压、连续充氮气的方法，使得整个恒温亚胺化过程，始终产生断续变化的远红外线辐照，达到阶梯升温、恒温、迅速排除反应生成聚缩水的要求，同时也有效地防止了硅片上铝层的氧化。本装置除在半导体器件及集成电路中作钝化层和内涂层的加工外，还能用于多层布线介质层的加工和其它需要制取高质量聚酰亚胺膜的地方。
基本信息
专利标题 ：
真空远红外充氮亚胺化装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85200146.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85200146U
授权日 ：
1986-01-15
发明人 ：
廖萃荃
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
姚建楠
优先权 ：
CN85200146.0
主分类号 ：
H01L21/312
IPC分类号 ：
H01L21/312 H01L21/47
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312
有机层，例如光刻胶
法律状态
1989-11-29 ：
专利权的终止
终止日 : 19860730
1986-07-30 ：
授权
1986-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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