抛光法U形槽隔离技术
被视为撤回的申请
摘要
本发明是抛光法U形槽隔离技术，属于集成电路元件间隔离层制造技术的改进。它采用反应离子刻蚀腐蚀隔离槽，然后用多晶硅填槽。本发明用化学或化学机械抛光法代替反应离子刻蚀来抛光削平表面多晶硅。使隔离工艺简单，便于控制，成本低，隔离区尺寸小而表面平整度好、适于大规模生产，特别适合我国现在生产条件。
基本信息
专利标题 ：
抛光法U形槽隔离技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100527A
申请号 ：
CN86100527
公开（公告）日 ：
1987-09-23
申请日 ：
1986-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐元森陈明琪吴佛春曹树洪严金龙陆锦兰何德淇谢明纲周弼芸
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
秀良赴
优先权 ：
CN86100527
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
1988-07-06 ：
被视为撤回的申请
1987-09-23 ：
公开
1987-09-02 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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