考虑到零反应性再分布因素而应用轴向不均匀吸收材料的全长控...
被视为撤回的申请
摘要
本发明属于一种中子吸收控制棒，该棒装有由不同中子吸收能力的两种不同中子吸收材料(50、52)构成的不均匀中子吸收体。低吸收能力的材料(52)是银-铟-镉，它从邻接棒的前端向后端装填，成为中子吸收体全长的主要部分(3/4)。高吸收能力的材料(50)是碳化硼，它从邻接低吸收能力的材料处装填到棒的后端。成为中子吸收体的小部分(1/4)。中子吸收体的不均匀性使在寿命末期期间和在零功率堆芯条件下的轴向通量不平衡减到最小。
基本信息
专利标题 ：
考虑到零反应性再分布因素而应用轴向不均匀吸收材料的全长控制棒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86104957A
申请号 ：
CN86104957
公开（公告）日 ：
1987-04-01
申请日 ：
1986-08-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤·奎克·恩古詹
申请人 ：
西屋电气公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州15222
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王申
优先权 ：
CN86104957
主分类号 ：
G21C7/10
IPC分类号 ：
G21C7/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理；核工程
G21C
核反应堆
G21C7/00
核反应的控制
G21C7/06
使用中子吸收材料，即吸收截面大大超过反射截面的材料
G21C7/08
利用固体控制元件的位移，例如控制棒的位移
G21C7/10
控制元件的构造
法律状态
1989-06-14 ：
被视为撤回的申请
1987-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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