利用磁场的微波增强型CVD系统和方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明展示一种改进的化学气相淀积法；在这种方法中，回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合，以高的淀积速度沉积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振，而高质量性能归因于两种化学气相淀积法(CVDs)的组合。
基本信息
专利标题 ：
利用磁场的微波增强型CVD系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86106620A
申请号 ：
CN86106620.0
公开（公告）日 ：
1987-07-08
申请日 ：
1986-10-14
授权号 ：
CN1027549C
授权日 ：
1995-02-01
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN86106620.0
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2002-06-05 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1995-02-01 ：
授权
1988-12-14 ：
实质审查请求
1987-07-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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