高清晰阳极化的内层界面
被视为撤回的申请
摘要
一种半导体结构在半导体岛区(54)和隔离内层(50)之间具有渡越厚度小于1500埃的高清晰度界面。为了生成这种结构，在复合外延层(54)和N+内层(50)上开槽(62)。内层(50)被在高压和低温条件下阳极化和氧化处理，以减少N+杂质的上扩散进入外延层(54)。
基本信息
专利标题 ：
高清晰阳极化的内层界面
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86107669A
申请号 ：
CN86107669
公开（公告）日 ：
1987-07-15
申请日 ：
1986-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
埃尔顿·杰·佐伦斯基大卫·彼·斯布莱特
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
曹磊
优先权 ：
CN86107669
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
1990-08-15 ：
被视为撤回的申请
1989-04-26 ：
实质审查请求
1987-07-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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