高能量γ射线刻度源装置
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种高能量γ射线刻度源装置。它是利用Am-Be等放射性中子源，经过慢化，在铁、镍和二氯化镁辐射样品上产生热中子俘获反应获得能量在5～10MeV的单色γ射线，用以刻度Ge(Li)，HPGe和NaI(Tl)等γ射线探测器的能量线性、能量分辨以及相对效率。
基本信息
专利标题 ：
高能量γ射线刻度源装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86204889.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-07-04
授权号 ：
CN86204889U
授权日 ：
1987-06-24
发明人 ：
叶宗垣李景文跃钢施德棠
申请人 ：
中国原子能科学研究院
申请人地址 ：
北京二七五信箱
代理机构 ：
核工业部专利法律事务所
代理人 ：
吴景夏
优先权 ：
CN86204889.3
主分类号 ：
G01T3/00
IPC分类号 ：
G01T3/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T3/00
中子辐射的测量
法律状态
1990-03-14 ：
专利权的终止
1988-01-06 ：
授权
1987-06-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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