湿化学共沉淀氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
湿化学共沉淀制备的氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺，介绍了一种用固体电触质陶瓷(Mg-PSZ)与玻璃、陶瓷及合金的封接，可分别采用煤气一氧气混合焰的普通灯工吹制及过火技术：中温封接及中、低温范围不同降温速率的封接。本发明工艺简单，封接件可达真空气密或氦检气密的要求。特别是由于Mg-PSZ可与合金进行封接，拓宽了Mg-PSZ作为氧敏器件的技术应用范围。
基本信息
专利标题 ：
湿化学共沉淀氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87100243A
申请号 ：
CN87100243.4
公开（公告）日 ：
1988-07-13
申请日 ：
1987-03-24
授权号 ：
CN87100243B
授权日 ：
1988-08-10
发明人 ：
温廷琏施鑫陶李晓飞
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN87100243.4
主分类号 ：
C03C8/24
IPC分类号 ：
C03C8/24 C04B37/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C03
玻璃；矿棉或渣棉
C03C
玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合
C03C8/00
搪瓷；釉；含有非熔块添加剂的熔块组合物熔封成分
C03C8/24
含有非熔块添加剂的玻璃料熔封成分，即用作不相同材料之间的封接料，例如玻璃与金属；玻璃焊料
法律状态
1993-07-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-04-05 ：
授权
1988-08-10 ：
审定
1987-09-02 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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