具有第一层A-Si(H，X)和第二层A-SiC(H，X)...
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一个改进的光接收元件包括：一个衬底和叠加的具有光电导性的第一层的光接收层，该层由含有硅原子为主要原子成分的非晶材料构成；以及第二层由含硅原子作为主要原子成分和碳原子的非晶材料构成。该第一层含有控制在不均匀分布状态下导电性的元素；该第二层含有控制在均匀分布状态下导电性的元素。该第一层可以在整个层区或在靠近衬底的部分层区中含有均匀分布状态的锗原子。
基本信息
专利标题 ：
具有第一层A-Si(H，X)和第二层A-SiC(H，X)的非均匀分布和均匀分布导电性控制的光接收元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87100605A
申请号 ：
CN87100605.7
公开（公告）日 ：
1987-12-09
申请日 ：
1987-02-07
授权号 ：
CN1014186B
授权日 ：
1991-10-02
发明人 ：
白井茂大野茂
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN87100605.7
主分类号 ：
G03G5/082
IPC分类号 ：
G03G5/082 G03G5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03G
电记录术；电照相；磁记录
G03G5/00
采用辐照用于原稿记录的记录构件；记录构件的制造；所用材料的选择
G03G5/02
电荷接受层
G03G5/04
光导层；电荷发生层或电荷转移层；上述各层的添加剂和黏接剂
G03G5/08
以无机光导材料为特征的
G03G5/082
不与粘结材料混合的，例如，真空沉积
法律状态
2007-10-10 ：
专利权的终止专利权有效期届满
2002-03-20 ：
其他有关事项
1992-06-24 ：
授权
1991-10-02 ：
审定
1989-08-09 ：
实质审查请求
1987-12-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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