具过渡层的光接受体及其制作方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种具过渡层的光接受体及其制作方法，涉及静电复印鼓中的功能分离型非晶硅-非晶氮化硅光接受体及其制作。本发明光接受体组成是：α-SiNx:H表面层；α-Si:H光敏层，α-SiNx:H过渡层；α-SiNx:H传输层及金属铝衬底。各层的沉积条件是：衬底温度190-250℃，表观射频功率25W-60W。本发明可获高表面电压(＞±300V)及低的残余电压(＜±20V)。
基本信息
专利标题 ：
具过渡层的光接受体及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035186A
申请号 ：
CN87101140.9
公开（公告）日 ：
1989-08-30
申请日 ：
1987-12-14
授权号 ：
CN1014650B
授权日 ：
1991-11-06
发明人 ：
池东植程如光
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN87101140.9
主分类号 ：
G03G5/082
IPC分类号 ：
G03G5/082 G03G5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03G
电记录术；电照相；磁记录
G03G5/00
采用辐照用于原稿记录的记录构件；记录构件的制造；所用材料的选择
G03G5/02
电荷接受层
G03G5/04
光导层；电荷发生层或电荷转移层；上述各层的添加剂和黏接剂
G03G5/08
以无机光导材料为特征的
G03G5/082
不与粘结材料混合的，例如，真空沉积
法律状态
1995-02-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-10-14 ：
授权
1991-11-06 ：
审定
1989-08-30 ：
公开
1988-07-06 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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