正交的磁性存贮介质
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
包括基片和在其上形成的正交磁性各向异性膜的正交磁性存贮介质，其特征在于，该膜是金属次氧化物膜，其组成可用式[(Fe1-xCox)，1-yMy1-xOx[其中，0.01≤x≤0.75，0≤y≤0.30，0.05≤z≤0.50，M代表一种或多种选自Al、Cr、Mo、Ti和ZR的金属)表示；该膜有与膜平面垂直的易磁化轴；可观察到由氧化的Fe产生的x射线衍射强度峰和由金属态Fe、Co及M产生的x射线衍射强度峰。
基本信息
专利标题 ：
正交的磁性存贮介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87101975A
申请号 ：
CN87101975.2
公开（公告）日 ：
1987-10-21
申请日 ：
1987-03-18
授权号 ：
CN1009401B
授权日 ：
1990-08-29
发明人 ：
那须昌吾斋木幸治
申请人 ：
钟渊化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
罗英铭
优先权 ：
CN87101975.2
主分类号 ：
G11B5/85
IPC分类号 ：
G11B5/85
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/84
专用于制造记录载体的方法或设备
G11B5/85
用蒸汽沉积法涂一带磁性层支承的
法律状态
1998-05-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-04-03 ：
授权
1990-08-29 ：
审定
1989-08-30 ：
实质审查请求
1987-10-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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