磁控管气体放电处理装置和方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一个为磁控管气体放电的共用电流回路的，并联电场的装置和工艺。该装置包括一个含有气体组分的易于抽气的室。一个与电流回路相联的多部位阴极产生并联的独立的电场。阴极包括一用于产生第一电场的第一阴极部分，该第一电场形成包括离子的气体放电。第二阴极部分产生第二的独立的电场。第二独立电场从气体放电中取出离子，也可控制取出离子的能量，使其与要处理的物件碰撞。每个阴极部分是相互电绝缘并可接通到分离的电源上。
基本信息
专利标题 ：
磁控管气体放电处理装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106755A
申请号 ：
CN87106755.2
公开（公告）日 ：
1988-06-15
申请日 ：
1987-10-06
授权号 ：
CN1011933B
授权日 ：
1991-03-06
发明人 ：
史蒂芬·迈克尔·罗比奥于赫·希·霍
申请人 ：
北卡罗来纳州微电子中心
申请人地址 ：
美国北卡罗来纳州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
赵越
优先权 ：
CN87106755.2
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 G03F7/36
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
1995-11-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-11-13 ：
授权
1991-03-27 ：
著录项目变更
变更事项 : 申请人
变更前 : 北卡罗来纳州微电子中心
变更后 : 北卡罗来纳州微电子中心(MCNC)
变更前 : 北卡罗来纳州微电子中心
变更后 : 北卡罗来纳州微电子中心(MCNC)
1991-03-06 ：
审定
1989-12-27 ：
实质审查请求
1988-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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