薄固体膜片组成的层状结构的局部混合
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种多层半导体结构，由两个或多个不同材料制成的独立层构成，可以局部加以混合，以改变其组成，从而使原材料之间的区别消失，至少是部消失。这种混合方法采用脉冲或快速扫描激光或电子束进行照射，通常是在室温和常压下以不致在体质上损坏层状结构的能级进行。采用激光或电子束的多脉冲时可以达到彻底混合的效果。
基本信息
专利标题 ：
薄固体膜片组成的层状结构的局部混合
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106894A
申请号 ：
CN87106894.X
公开（公告）日 ：
1988-04-20
申请日 ：
1987-10-09
授权号 ：
CN1012405B
授权日 ：
1991-04-17
发明人 ：
约翰·邓肯·罗尔斯顿安东尼·卢克·莫雷蒂拉温达·库马·珍
申请人 ：
阿莫科公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
罗宏
优先权 ：
CN87106894.X
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
1993-08-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-12-25 ：
授权
1991-04-17 ：
审定
1989-12-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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