掺铟混晶锌扩散源
视为撤回的专利申请
摘要
本发明为一种制造半导体器件的专用材料。 掺铟混晶锌扩散源是一种制造GaAs、(AlGa)As材料半导体器件用的Zn杂质扩散源。这种扩散源是把In、Zn、As三种单质，也可用In、Zn、Ga，As四种单质加热化合(混合)成三元、四元混晶。其优点是欧姆接触比电阻低，使用、配制方便，扩散速度易控制。
基本信息
专利标题 ：
掺铟混晶锌扩散源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037051A
申请号 ：
CN88102204.7
公开（公告）日 ：
1989-11-08
申请日 ：
1988-04-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜国同马晓宇
申请人 ：
吉林大学
申请人地址 ：
吉林省长春市解放大路83号
代理机构 ：
吉林大学专利事务所
代理人 ：
崔丽娟
优先权 ：
CN88102204.7
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22 C30B31/00 C30B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
1991-08-28 ：
视为撤回的专利申请
1989-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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