多晶结构X射线激发的闪烁体及其制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种照相用的多晶结构X射线激发闪烁体及制备方法，为减少闪烁体受X辐射时的辐射损伤，对其进行受控氧化退火处理。经此处理的陶瓷材料由具有立方晶系结构的含紧密烧结稀土掺杂氧化钆的金属氧化物组成。陶瓷成份包括：约5～50克分子百分比的Gd2O3，约0.5～12克分子百分比选自Eu2O3和Nd2O3的稀土活性氧化物和约0.0001～0.5克分子百分比至少一种选自Pr1O3和Tb2O3的余辉衰减剂，其余成份为Y2O3。
基本信息
专利标题 ：
多晶结构X射线激发的闪烁体及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88103386A
申请号 ：
CN88103386.3
公开（公告）日 ：
1988-12-28
申请日 ：
1988-06-07
授权号 ：
CN1020584C
授权日 ：
1993-05-12
发明人 ：
罗伯特·约瑟夫·里德纳埃多根·奥默尔·吉尔门查理斯·戴维德·格里斯科维奇多米尼克·安索尼·库萨诺
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN88103386.3
主分类号 ：
C04B35/50
IPC分类号 ：
C04B35/50 G01T1/202
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/50
以稀土化合物为基料的
法律状态
2002-07-31 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-05-12 ：
授权
1990-09-12 ：
实质审查请求
1988-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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