硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层
被视为撤回的申请
摘要
区熔再结晶SOI的防气化多层结构，是一种防止SOI硅薄膜在区熔再结晶过程中覆盖层失效的新结构。它采用在硅与二氧化硅之间增加隔离层的方法，形成多层结构，抑制熔融硅与二氧化硅之间产生气化反应。本发明不仅能防止覆盖层的失效，而且可以降低对于区熔再结晶过程中的温度控制精度的要求。它能通过区熔再结晶方法在绝缘层上获得平坦而连续的硅薄膜。
基本信息
专利标题 ：
硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88105362A
申请号 ：
CN88105362
公开（公告）日 ：
1988-09-28
申请日 ：
1988-02-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑其经阎宁新
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN88105362
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30 C30B13/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
1990-08-15 ：
被视为撤回的申请
1988-09-28 ：
实质审查请求
1988-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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