硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层
被视为撤回的申请
摘要

区熔再结晶SOI的防气化多层结构,是一种防止SOI硅薄膜在区熔再结晶过程中覆盖层失效的新结构。它采用在硅与二氧化硅之间增加隔离层的方法,形成多层结构,抑制熔融硅与二氧化硅之间产生气化反应。本发明不仅能防止覆盖层的失效,而且可以降低对于区熔再结晶过程中的温度控制精度的要求。它能通过区熔再结晶方法在绝缘层上获得平坦而连续的硅薄膜。

基本信息
专利标题 :
硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN88105362A
申请号 :
CN88105362
公开(公告)日 :
1988-09-28
申请日 :
1988-02-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑其经阎宁新
申请人 :
南京工学院
申请人地址 :
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 :
南京工学院专利事务所
代理人 :
楼高潮
优先权 :
CN88105362
主分类号 :
H01L21/30
IPC分类号 :
H01L21/30  C30B13/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
1990-08-15 :
被视为撤回的申请
1988-09-28 :
实质审查请求
1988-09-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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