使用激光退火进行固相外延再结晶
授权
摘要
本发明揭示用于为MOS型晶体管制作浅且陡梯度的漏极延伸区的方法(70)，其中在半导体产品的制造中，使用激光SPER退火工艺在漏极延伸区内进行固相外延再结晶。一种方法(70)包括预先非晶化工艺(74)，所述预先非晶化工艺(74)包括以下步骤：将诸如锗等重离子物质深深植入衬底的与所述衬底的沟道区邻接的延伸区内，以形成深的非晶区；然后将硼或另一种这样的掺杂物质植入所述衬底的与沟道区邻接的延伸区内。然后在低温下对所植入的掺杂剂进行预退火(78)，以设定结深和掺杂浓度。随后使用激光在高温下对所述延伸区及/或深源极/漏极区进行退火(84)，由此在贴近沟道区的区内提供固相外延再结晶，以便以陡梯度获得超高掺杂浓度和活化水平。
基本信息
专利标题 ：
使用激光退火进行固相外延再结晶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076881A
申请号 ：
CN200580042405.0
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿米塔比·贾殷
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200580042405.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2011-01-12 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
