一种延长功率晶体管寿命的工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种延长功率晶体管寿命的工艺。本发明涉及功率晶体管集电极欧姆接触形成工艺。本发明针对已有工艺中管芯背部金属化时，上粘附层金属与硅芯片低温下不能形成金属硅化物的缺点。本发明集电极上粘附层采用金属铌(Nb)，并在溅射装置中低温(100-300℃)下形成Nb-Si化合物，加强了上粘附层与芯片的粘附力，从而提高了功率晶体管的寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种延长功率晶体管寿命的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1040889A
申请号 ：
CN89106832.5
公开（公告）日 ：
1990-03-28
申请日 ：
1989-10-06
授权号 ：
CN1011003B
授权日 ：
1990-12-26
发明人 ：
田淑芬薛成山樊锡君庄惠照
申请人 ：
山东师范大学
申请人地址 ：
250014山东省济南市文化东路38号
代理机构 ：
山东省高等院校专利事务所
代理人 ：
崔日新
优先权 ：
CN89106832.5
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
1993-08-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-01-29 ：
授权
1990-12-26 ：
审定
1990-07-25 ：
实质审查请求
1990-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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