一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管，包括晶体管本体，所述晶体管本体的下端为P型衬底，所述P型衬底的上端两侧对称设有绝缘体，所述P型衬底的上端中间设有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层与两侧的绝缘体之间分别设有源极和漏极。本实用新型采用台面工艺制造功率模块晶体管，能够轻松地通过穿通型结构和局部少子寿命控制来完善普通晶体管无法达到的高频低损耗特性；模块封装形式封装的晶体管，可以在不改变芯片大小的情况下使电流密度大幅度增加；同时在结构上采取模块化集成特性的设计模式，从而实现了关断损耗和导通压降之间较好的性能平衡关系，同时确保器件拥有更好的散热性和更大的功率容量。
基本信息
专利标题 ：
一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021980469.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212725322U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
魏广乾
申请人 ：
西安坤维电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市西安经济技术开发区泾渭新城西金路西段29号泾渭国际中心1幢1单元9层10902号
代理机构 ：
重庆嘉禾共聚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴迪
优先权 ：
CN202021980469.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L23/31 H01L23/367
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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