磁光记录介质
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种磁光记录介质，它在基体上至少具有增强膜(I)和磁光记录(II)，所述增强膜(I)是由SiO2(其中0＜X＜1.33)所表示的折射率至少为1.9的氮化硅膜所构成，而所述磁光记录膜(II)是由[Pdapt1-a]y[RExTM1-x(其中至少50原子％的RE为Tb和/或Dy，其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm，TM为Fe和/或Co，且0≤a≤1，0.2≤x≤0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。这些磁光记录介质在其磁光记录膜(II)上可以有反射膜。
基本信息
专利标题 ：
磁光记录介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1042257A
申请号 ：
CN89108072.4
公开（公告）日 ：
1990-05-16
申请日 ：
1989-10-17
授权号 ：
CN1018304B
授权日 ：
1992-09-16
发明人 ：
水本邦彦春田浩一梶浦博一
申请人 ：
三井石油化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
王孙佳
优先权 ：
CN89108072.4
主分类号 ：
G11B11/10
IPC分类号 ：
G11B11/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B11/00
利用列入G11B3/00至G11B7/00的不同大组的或列入大组G11B9/00的不同小组的方法或装置在同一记录载体上进行记录或重现的；为此所用的记录载体
G11B11/10
使用激磁或退磁进行记录的
法律状态
1994-11-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-05-26 ：
授权
1992-09-16 ：
审定
1991-05-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
