一种去除熔体表面浮渣的技术
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣的技术，它在生长晶体的一般坩埚上设置一个底部有孔口的上坩埚，并有一个托盘连接直柄穿过孔口提托上坩埚，先使固体物料在上坩埚中熔融，再让熔体从孔口漏入下坩埚，然后提托上坩埚去除浮渣。这种方法的装置简单，操作方便，效果极佳。
基本信息
专利标题 ：
一种去除熔体表面浮渣的技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1046567A
申请号 ：
CN90104283.8
公开（公告）日 ：
1990-10-31
申请日 ：
1990-06-15
授权号 ：
CN1015555B
授权日 ：
1992-02-19
发明人 ：
焦景华佘辉叶式中
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市912信箱
代理机构 ：
北京林业大学专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN90104283.8
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1995-08-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-11-11 ：
授权
1992-02-19 ：
审定
1990-10-31 ：
公开
1990-10-03 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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