干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构。本发明提供一种磁控反应离刻蚀机上施加磁场的永磁磁路结构，该永磁磁路结构设于反应室内直接构成磁场，由一对包括许多永磁磁铁单元的极板，一个软铁回路以及角铁组成。通过调整可使硅片刻蚀区形成均匀的强度可调的磁场。本发明磁路结构简单，可降低设备制造成本，提高精度，提高设备可靠性和易操作性。
基本信息
专利标题 ：
干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052571A
申请号 ：
CN90109813.2
公开（公告）日 ：
1991-06-26
申请日 ：
1990-12-19
授权号 ：
CN1017208B
授权日 ：
1992-06-24
发明人 ：
罗澎金钟元韩阶平马俊如
申请人 ：
中国科学院微电子中心
申请人地址 ：
100010北京市650信箱
代理机构 ：
三友专利事务所
代理人 ：
杨佩璋
优先权 ：
CN90109813.2
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 B44C1/22 C03C15/00 C23F1/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
1995-02-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-02-01 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-02-10 ：
授权
1992-06-24 ：
审定
1991-06-26 ：
公开
1991-06-05 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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