片式陶瓷铝扩散源
专利申请的视为撤回
摘要
本发明属于电子陶瓷这一领域。本发明提供一种新型片式陶瓷铝扩散源解决了以前液态铝源用于低频大功率晶体管铝扩散时表面浓度低，结深均匀性差，工艺操作复杂的问题。本发明主要特征是以钙铝硅氧化物为基，含有高纯金属铝粉的陶瓷材料，这种陶瓷材料在高温下能分解出金属铝蒸汽对半导体硅片实施铝扩散。本发明可用于低频大功率管制造中的铝扩散源。
基本信息
专利标题 ：
片式陶瓷铝扩散源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1069146A
申请号 ：
CN91105122.8
公开（公告）日 ：
1993-02-17
申请日 ：
1991-07-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭建中
申请人 ：
中国建筑材料科学研究院高技术陶瓷研究所
申请人地址 ：
100024北京市朝阳区管庄
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN91105122.8
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 C30B31/02 C04B35/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
1995-09-27 ：
专利申请的视为撤回
1993-02-17 ：
公开
1991-12-25 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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