硅红外滤光片的热处理工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺，其特征是将硅片在400-1000℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至850℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在9μm处的透过率接近或达到区熔硅单晶的水平，用热处理后的廉价直拉硅单晶片制造的红外滤光片，可满足红外仪器设备所需红外滤光片的要求，大大降低了滤光片的成本。
基本信息
专利标题 ：
硅红外滤光片的热处理工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1069299A
申请号 ：
CN91107462.7
公开（公告）日 ：
1993-02-24
申请日 ：
1991-08-06
授权号 ：
CN1026343C
授权日 ：
1994-10-26
发明人 ：
谭淞生朱建生李月珍
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN91107462.7
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 G02B5/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
1996-09-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-10-26 ：
授权
1993-02-24 ：
公开
1992-07-15 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1026343C.PDF
PDF下载
2、
CN1069299A.PDF
PDF下载
