具有单面磁场强的永磁体
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型涉及一种具有单面磁场的永磁体，它的多个N极和S极平行交错排列在同一表面上，形成较高的磁场强，而另一表面的磁场强几乎为零。这种永磁体可制成磁性玩具块及装饰块等，可以采用较廉价的原材料获得较高的磁性能，将单面磁场强提高80％以上。
基本信息
专利标题 ：
具有单面磁场强的永磁体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN91208698.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1991-05-29
授权号 ：
CN2087809U
授权日 ：
1991-10-30
发明人 ：
曹一凡
申请人 ：
曹一凡
申请人地址 ：
100084北京市海淀区清华大学9公寓13号
代理机构 ：
小松专利事务所
代理人 ：
李树明
优先权 ：
CN91208698.X
主分类号 ：
H01F7/02
IPC分类号 ：
H01F7/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F7/00
磁体
H01F7/02
永久磁体
法律状态
1995-07-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-07-15 ：
授权
1991-10-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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