采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件
专利申请的视为撤回
摘要
一种具有金刚石半导体电子发射极(102)的场致发射器件，发射极有一个暴露面(120)，呈现出低的/负的电子亲和能，该器件通过调整结耗尽区(110)加以控制。向器件的栅极(104)施加一个合适的工作电压(106)就能调整结耗尽区宽度，从而控制穿过电子发射极(102)主体以便在暴露面(120)发射的电子。
基本信息
专利标题 ：
采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1069825A
申请号 ：
CN92105455.6
公开（公告）日 ：
1993-03-10
申请日 ：
1992-07-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗伯特·C·肯詹姆斯·E·詹斯特
申请人 ：
莫托罗拉公司
申请人地址 ：
美国伊利诺斯
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
邹光新
优先权 ：
CN92105455.6
主分类号 ：
H01J1/30
IPC分类号 ：
H01J1/30 H01J9/02 H01J29/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/30
冷阴极
法律状态
1998-01-14 ：
专利申请的视为撤回
1994-06-15 ：
实质审查请求的生效
1993-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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