二维电子气发射极半导体器件
视为撤回的专利申请
摘要
N型半导体基片用离子注入工艺制成P型基区之后，用任何一种工艺方法例如CVD法淀积满足下列要求的发射极材料：1)宽禁带、低空穴迁移率；2)电子亲和势低；3)与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结界面的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
二维电子气发射极半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85107336A
申请号 ：
CN85107336.0
公开（公告）日 ：
1987-05-20
申请日 ：
1985-10-03
授权号 ：
CN1006427B
授权日 ：
1990-01-10
发明人 ：
朱恩均
申请人 ：
南京电子器件研究所
申请人地址 ：
南京中山东路524号
代理机构 ：
机械电子工业部电子专利服务中心
代理人 ：
许兆鹏
优先权 ：
CN85107336.0
主分类号 ：
H01L29/70
IPC分类号 ：
H01L29/70 H01L29/00
法律状态
1991-01-16 ：
视为撤回的专利申请
1990-01-10 ：
审定
1988-08-17 ：
实质审查请求
1987-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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