制造PN结的技术
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
让Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ单晶片在３００—５００℃温度下退火４—１５０小时，使其反型成Ｎ型基片；然后，利用电子束、高频感应电流、激光等高湿表面瞬时退火技术，进行高温８００—１１００℃表面瞬时退火，使此表面所在区域重新恢复原来的Ｐ型导电类型，从而在界面处生成一个ＰＮ结。利用本技术可以实现不需另外掺入Ｎ型杂质，在较低热处理温度下可控地制造各种不同要求的ＰＮ结。本技术工艺简单、生产成本低。
基本信息
专利标题 ：
制造PN结的技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087447A
申请号 ：
CN92114055.X
公开（公告）日 ：
1994-06-01
申请日 ：
1992-11-25
授权号 ：
CN1042274C
授权日 ：
1999-02-24
发明人 ：
陈畅生李承芳曾繁清
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
430072湖北省武汉市珞珈山
代理机构 ：
武汉大学专利事务所
代理人 ：
余鼎章
优先权 ：
CN92114055.X
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2001-01-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-02-24 ：
授权
1996-01-31 ：
实质审查请求的生效
1994-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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