静电感应器件

专利权的终止

摘要

一种静电感应器件（ＳＩ器件）至少包括一个ＳＩ晶闸管结构，一个ＩＧＴ和一个电容器，它们均合装在单个单片上。该ＳＩ晶闸管具有一个阴极、一个阳极、一个栅区和一个沟道。该ＩＧＴ具有一个位于沟道表面的阱、一个源极和一个漏极位于阱内，一个栅极绝缘膜形成在阱上，并有一个栅电极位于栅绝缘膜上。电容器包括ＳＩ晶闸管的栅区、位于此栅区的栅绝缘膜和栅极。该阴极和漏区通过一高导电极相互连接。

基本信息

专利标题：

静电感应器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1081536A

申请号：

CN93103674.7

公开（公告）日：

1994-02-02

申请日：

1993-03-04

授权号：

CN1054703C

授权日：

2000-07-19

发明人：

西泽润一

申请人：

财团法人半导体研究振兴会

申请人地址：

日本宫城县仙台市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张志醒

优先权：

CN93103674.7

主分类号：

H01L29/74

IPC分类号：

H01L29/74 H01L27/02

法律状态

2010-08-04 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004440084
IPC(主分类) : H01L 29/74
专利号 : ZL931036747
申请日 : 19930304
授权公告日 : 20000719

2008-06-04 ：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 财团法人半导体研究振兴会
变更后权利人 : 东北大学
变更事项 : 地址
变更前 : 日本宫城县仙台市
变更后 : 日本宫城县仙台市
登记生效日 : 20080425

2000-07-19 ：

授权

1995-06-14 ：

实质审查请求的生效

1994-02-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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