半导体式差压测量装置
专利权的终止
摘要

一种含有其两侧设有测量室的测量膜片的半导体式差压测量装#O&置,包括第一室与第一室连通的第一连通孔、凹形部分、第二连通孔、应变检出元件,还包括设置在硅基片上的第二室及一个支承基片。该装置在允许的测量检限内检出差压,但当施加过压时,测量膜片直接由测量室的壁支持以防止膜片被过压所损坏。因此,该装置不需要抗过压的附加保护机构。

基本信息
专利标题 :
半导体式差压测量装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1100198A
申请号 :
CN93117514.3
公开(公告)日 :
1995-03-15
申请日 :
1993-09-10
授权号 :
CN1052538C
授权日 :
2000-05-17
发明人 :
池田恭一渡边哲也冢本秀郎工藤贵裕长井浩二福原聪
申请人 :
横河电机株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
张维
优先权 :
CN93117514.3
主分类号 :
G01L7/08
IPC分类号 :
G01L7/08  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L7/00
用机械的或流体的压敏元件测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力
G01L7/02
弹性形变量计式的
G01L7/08
可挠膜片式的
法律状态
2013-11-06 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101536329785
IPC(主分类) : G01L 7/08
专利号 : ZL931175143
申请日 : 19930910
授权公告日 : 20000517
期满终止日期 : 20130910
2000-05-17 :
授权
1995-03-15 :
公开
1994-04-06 :
实质审查请求的生效
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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