防止液体中杂质附着的溶液和使用它的腐蚀方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明的目的在于提供氟酸水溶液或在氟酸＋氟化铵混合水溶液中防止杂质附着的技术。通过向氢氟酸水溶液或氟酸＋氟化铵混合水溶液等的氢氟酸系的腐蚀溶液中添加可以降低杂质和基板ζ电位的物质，特别是以低于临界胶束浓度的浓度添加阴离子表面活性剂，可以防止或降低混合水溶液中的杂质附着。可以提高半导体器件等的电子元件的成品率。
基本信息
专利标题 ：
防止液体中杂质附着的溶液和使用它的腐蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1091859A
申请号 ：
CN94100510.0
公开（公告）日 ：
1994-09-07
申请日 ：
1994-01-20
授权号 ：
CN1038625C
授权日 ：
1998-06-03
发明人 ：
齐藤昭男太田胜启伊藤晴夫冈齐
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
罗宏
优先权 ：
CN94100510.0
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 C23F1/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2009-03-18 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1998-06-03 ：
授权
1994-09-07 ：
公开
1994-08-31 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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