使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置、方法以及存储介质
授权
摘要
本发明提供一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置、方法以及存储介质。该蚀刻处理控制装置具有：处理槽，其用于利用加热磷酸水溶液而得到的蚀刻液对基板进行蚀刻处理；处理液供给部，其向所述处理槽供给磷酸水溶液；处理液循环部，其使所述处理槽的内部的蚀刻液循环；处理液排出部，其使所述蚀刻液排出；浓度传感器，其测量所述蚀刻液中的硅浓度；以及控制部，其与所述浓度传感器连接，对所述处理液供给部、所述处理液循环部以及所述处理液排出部进行控制，其中，所述控制部利用所述处理液循环部使蚀刻液循环，在规定的定时利用所述浓度传感器来测量硅浓度，使蚀刻液从所述处理液排出部排出，并且从所述处理液供给部向所述处理槽供给磷酸水溶液。
基本信息
专利标题 ：
使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置、方法以及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108962793A
申请号 ：
CN201810771641.5
公开（公告）日 ：
2018-12-07
申请日 ：
2016-01-29
授权号 ：
CN108962793B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
佐藤秀明佐藤尊三
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201810771641.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20160129
申请日 : 20160129
2018-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN108962793A.PDF
PDF下载
