制备氧化钛-氧化铌复合氧化物氧敏材料的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种氧敏复合材料的制备方法。主要解决目前制备单一氧化物半导体氧敏材料需要贵金属催化剂，且氧敏特性差的问题。提出了采用氧化钛—氧化铌两种氧化物为源物质，制备复合氧敏材料的方法，其操作步骤为：（１）将两种不同比例的粉料混合搅拌并烧成，烧成温度为１２００℃—１４００℃，时间为４—６ｈｒ；（２）粉碎、研磨烧成的混合料，并造粒加压成片状进行烧结，烧结温度为１２００℃—１４００℃，时间为４—７ｈｒ；（３）将烧结后的试料切割成条并烧付电极引线成为样品。该复合材料是制备氧敏传感器的良好材料，特别适于作汽车理论空燃比控制用的氧敏传感器。
基本信息
专利标题 ：
制备氧化钛-氧化铌复合氧化物氧敏材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1099137A
申请号 ：
CN94102375.3
公开（公告）日 ：
1995-02-22
申请日 ：
1994-03-09
授权号 ：
CN1055159C
授权日 ：
2000-08-02
发明人 ：
彭军
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
710071陕西省西安市太白路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利事务所
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN94102375.3
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12 H01L49/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2003-04-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-08-02 ：
授权
1997-04-23 ：
实质审查请求的生效
1995-02-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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