电子电路
专利权的终止
摘要
一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100—750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。
基本信息
专利标题 ：
电子电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1239835A
申请号 ：
CN99107129.8
公开（公告）日 ：
1999-12-29
申请日 ：
1993-12-09
授权号 ：
CN1302560C
授权日 ：
2007-02-28
发明人 ：
宫崎稔A·村上山本睦夫崔葆春
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN99107129.8
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/092 H01L27/12
法律状态
2014-02-05 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101567133522
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL991071298
申请日 : 19931209
授权公告日 : 20070228
期满终止日期 : 20131209
号牌文件序号 : 101567133522
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL991071298
申请日 : 19931209
授权公告日 : 20070228
期满终止日期 : 20131209
2007-02-28 ：
授权
1999-12-29 ：
公开
1999-12-01 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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