四方型结构SnO2单分散纳米单晶及...
专利权的终止
摘要
一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法。该SnO2单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶，其直径为5－50纳米，长度为50－300纳米。其方法是将四氯化锡溶解于盐酸溶液，混合均匀后，放入高压釜中，充空气至压力为0.1－1.5兆帕作为预压，在200－400℃下保温4－8小时，直接得到四方型结构SnO2单分散纳米单晶。本发明的特点是利用溶液的酸度和预压，提高前驱体水解温度，使其在高温下水解，由于此时系统处于高压力下，SnO2分子结晶时沿被限定的晶面，择优生长，且直接长成密度最大的、几乎无缺陷的四方型结构SnO2纳米单晶。该晶体用作锂离子电池负极材料，可有效提高电池的充电效率和使用寿命，用作发光器件和发射装置，可提高其发光效应和性能。
基本信息
专利标题 ：
四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1804149A
申请号 ：
CN200510019926.6
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁英夏晓红范晶贾志杰
申请人 ：
华中师范大学
申请人地址 ：
430079湖北省武汉市武昌珞瑜路100号
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
张安国
优先权 ：
CN200510019926.6
主分类号 ：
C30B7/10
IPC分类号 ：
C30B7/10 C30B29/16 C30B29/60 C01G19/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/10
加压法，例如水热法
法律状态
2012-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101179909665
IPC(主分类) : C30B 7/10
专利号 : ZL2005100199266
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20101201
号牌文件序号 : 101179909665
IPC(主分类) : C30B 7/10
专利号 : ZL2005100199266
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20101201
2008-01-30 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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