使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件以及制造该磁致电阻器件的方法。该磁致电阻器件通过更简化的制造工艺被制造，且该磁致电阻器件具有更改进的稳定性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815769A
申请号 ：
CN200510022966.6
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄淳元金泰完郑硕才柳龙桓郑智元
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510022966.6
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 G11B5/39 G11C11/16 G11C11/15
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法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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