SiC陶瓷颗粒表面化学镀铜方法
专利权的终止
摘要
一种SiC陶瓷颗粒表面化学镀铜方法，首先对SiC陶瓷颗粒表面进行硝酸粗化处理，用钨粉、双氧水，无水乙醇和冰乙酸制备得到溶胶，然后将粗化处理后的SiC陶瓷颗粒泡入溶胶之中并辅以超声振荡，使在陶瓷颗粒表面形成溶胶薄层，再经干燥及氢气还原，得到镀覆钨的SiC陶瓷颗粒后，再进行化学镀铜处理。由于铜对钨良好的润湿性和钨自身的催化活性，从而可以得到铜包裹均匀的陶瓷。相对已有的化学镀铜工艺，本发明无需用昂贵的PdCl2或者AgCl对陶瓷表面进行活化，省略了敏化步骤，具有易于操作，包覆均匀，成本低廉的优势。
基本信息
专利标题 ：
SiC陶瓷颗粒表面化学镀铜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1740382A
申请号 ：
CN200510029905.2
公开（公告）日 ：
2006-03-01
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾明元甘可可
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海交达专利事务所
代理人 ：
毛翠莹
优先权 ：
CN200510029905.2
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00 C23C16/01 C23C16/02 C23C16/14 C04B35/565
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2011-11-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101145515795
IPC(主分类) : C23C 28/00
专利号 : ZL2005100299052
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20100922
号牌文件序号 : 101145515795
IPC(主分类) : C23C 28/00
专利号 : ZL2005100299052
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20100922
2007-11-14 ：
授权
2006-04-26 ：
实质审查的生效
2006-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1740382A.PDF
PDF下载
2、
CN100348778C.PDF
PDF下载
