一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明为一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法，是以氧化镓Ga2O3为原料，以氨气NH3为反应气体，以惰性气体氩气Ar为保护气体，以硅板为产物生长载体基底，以无水乙醇、丙酮、去离子水为硅板清洗剂，以去离子水为石英原料舟清洗剂，不使用任何催化剂，在950℃高温状态下，在硅板上，通过氨化反应，直接生长出氮化镓纳米线，通过原料研磨、过筛、硅板及石英原料舟清洗、管式高温炉控制器程序控制抽空气、输入氩气、氨气、加热升温、冷却，简化了制备工艺流程，有效地防止了副产物的生成，提高了产物的产收率和纯度、精度，最终得到浅黄色、实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、呈线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，产收率高，可达95％，纯度好，可达98.6％，线性精度高，
基本信息
专利标题 ：
一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1789114A
申请号 ：
CN200510048197.7
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许并社翟雷应梁建贾虎生刘旭光郝海涛李春华
申请人 ：
太原理工大学
申请人地址 ：
030024山西省太原市迎泽西大街79号
代理机构 ：
太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人 ：
江淑兰
优先权 ：
CN200510048197.7
主分类号 ：
C01B21/06
IPC分类号 ：
C01B21/06 F27B3/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B21/00
氮；其化合物
C01B21/06
氮与金属、硅或硼的二元化合物
法律状态
2010-02-10 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-06-06 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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