化学法合成氧化物粉体制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种化学法合成氧化物粉体制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制造方法，一种化学法合成氧化物粉体制备的ZnO瓷料和内电极层交错排布烧结而成，其特征在于所述的ZnO瓷料的主体材料为ZnO粉体，加入3～8％(摩尔百分比)的化学法合成的粉体添加剂，所述的化学法是指化学共沉淀法、溶胶一凝胶法。本发明制备的1005规格的多层片式ZnO压敏电阻器的非线性系数α大于20，漏电流IL小于2.0微安。
基本信息
专利标题 ：
化学法合成氧化物粉体制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801408A
申请号 ：
CN200510048588.9
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕呈祥王兰义景志刚杜辉张金秀郑慎飞魏书周王雅琳刘中华
申请人 ：
河南金冠王码信息产业股份有限公司
申请人地址 ：
473057河南省南阳市中州路966号
代理机构 ：
南阳市智博维创专利事务所
代理人 ：
王帆
优先权 ：
CN200510048588.9
主分类号 ：
H01C7/112
IPC分类号 ：
H01C7/112 H01C17/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/10
电压响应的，即压敏电阻器
H01C7/105
压敏电阻器芯体
H01C7/108
金属氧化物的
H01C7/112
ZnO型的
法律状态
2010-03-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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