在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法，属于高性能陶瓷材料技术领域。其特征在于：以TiC粉、Ti粉、Si粉为原料，按照摩尔比TiC∶Ti∶Si＝2∶(1～1.3)∶(1.1～1.5)的比例配料，球磨混合，烘干过筛后，放入氧化铝坩埚中，置于真空反应炉，预抽真空至5～20Pa，以不大于50℃/分钟的升温速度升温至1300～1400℃，在1300～1400℃范围内真空下保温1～2小时，自然冷却至室温，得到Ti3SiC2相含量大于97％的钛硅碳(Ti3SiC2)陶瓷粉体。该方法工艺简单，成本较低，制备钛硅碳(Ti3SiC2)粉体纯度高，适合规模化工业生产。
基本信息
专利标题 ：
在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1778767A
申请号 ：
CN200510086689.5
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘伟韩若冰
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
100084北京市北京100084－82信箱
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510086689.5
主分类号 ：
C04B35/515
IPC分类号 ：
C04B35/515 C04B35/56 C04B35/626
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
法律状态
2007-11-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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