一种晶硅制备碳碳坩埚
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种晶硅制备碳碳坩埚,包括坩埚圆筒壁、坩埚底座和坩埚盖,所述坩埚圆筒壁上端前侧开设有出气孔,且坩埚圆筒壁左侧固定安装有上把手,并且坩埚圆筒壁下端面开设有三角凹槽,并且三角凹槽下端面连接有三角凸块。所述坩埚底座上端面固定有三角凸块,且坩埚底座右侧固定安装有下把手,所述坩埚盖上固定连接有盖把手,且坩埚盖下端面前侧开设有盖口,坩埚盖下端面预留有坩埚圆筒壁。该晶硅制备碳碳坩埚将坩埚圆筒壁和坩埚底座分开,坩埚圆筒壁采用碳/碳复合材料制成,坩埚底座采用石墨制成,使用寿命长,节约石墨,在坩埚圆筒壁和坩埚底座外壁设有把手,方便运输移动,使得制备更加方便。

基本信息
专利标题 :
一种晶硅制备碳碳坩埚
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021882152.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-02
授权号 :
CN213037879U
授权日 :
2021-04-23
发明人 :
刘赫李春波董晨名孙磊秦晔
申请人 :
天津金沃能源科技股份有限公司
申请人地址 :
天津市西青区西青学府工业区才智道35号海澜德大厦4号楼602-17室
代理机构 :
北京君泊知识产权代理有限公司
代理人 :
王程远
优先权 :
CN202021882152.6
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-06-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 35/00
登记生效日 : 20220524
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津金沃能源科技股份有限公司
变更后权利人 : 内蒙古思立科能源科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300382 天津市西青区西青学府工业区才智道35号海澜德大厦4号楼602-17室
变更后权利人 : 010020 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区金桥开发区阿拉坦大街北侧达尔登北路金桥电子商务园区88042号
2021-04-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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